<script language="JavaScript" src="http://www.vcharkarn.com/javafeed/article/17823" type="text/javascript"></script>

FLASH MEMORY & iPOD NANO ตามทันเทคโนโลยีของ หน่วยความจำ Flash Memory และรู้จักกับ iPod คือเครื่องเล่นเพลงดิจิตอลแบบพกพาที่โดดเด่นที่สุดแห่งยุค มาถึงว่าควรเลือกใช้อย่างไรจึงจะเหมาะ ผู้เขียน: จอมสร้างภพ พรหมประวัติ,นายณัฐ เตียววิริยะกุล , นายถวิล แสนสุทธิสกุล ชมแล้ว: 26,166 ครั้ง post ครั้งแรก: Mon 19 February 2007, 1:27 pm ปรับปรุงล่าสุด: Tue 20 February 2007, 11:53 am อยู่ในส่วน: เทคโนโลยีสารสนเทศ

Flash Memory เป็นหน่วยความจำชนิดที่ไม่มีการเปลี่ยนแปลงข้อมูลหรือการสูญหายของข้อมูลแม้ว่าขณะนั้นจะไม่มีกระแสไฟฟ้าไปหล่อเลี้ยงวงจรก็ตาม ไม่เหมือนกับ EEPROM ซึ่งเป็นชิพที่ฝังตัวอยู่ในเครื่องคอมพิวเตอร์ เพราะฉะนั้น Flash Memory จึงกลายเป็นเทคโนโลยีที่โดดเด่น ลักษณะของแฟลชเมมอรีเป็นหน่วยความจำที่มีส่วนประกอบที่ไม่มีการขับเคลื่อนเหมือนกับฮาร์ดดิสก์จึงเป็นที่ต้องการของผู้ใช้ทั่วไป

Flash Memory ยังเป็นส่วนประกอบที่อยู่ใน Hardware อื่นๆ เช่น กล้องถ่ายรูปดิจิตอล โทรศัพท์มือถือ เครื่องเล่นเสียงดิจิตอล นอกจากนี้แล้วยังใช้ใน USB Drive เพื่อใช้ในการบันทึกข้อมูลและการถ่ายโอนข้อมูลอีกด้วย Flash Memory ได้แพร่หลายและเป็นที่นิยมของประชาชนจำนวนหนึ่งในตลาดเกม ข้อดีของ Flash Memory คือโหลดข้อมูลได้เร็วและราคาถูก

Flash Memory ใช้เวลาในการเข้าถึงข้อมูลในการอ่านได้เร็วกว่าแม้ว่าจะไม่เร็วเท่ากับหน่วยความจำที่ไม่มีการเปลี่ยนแปลงใน DRAM ซึ่งใช้เป็นหน่วยความจำหลักในเครื่องคอมพิวเตอร์

หลักการทำงานของ Flash Memory
Flash Memory ได้เก็บข้อมูลต่างๆไว้ภายในส่วนที่เรียกว่า “ Cell ” ที่ถูกจัดเรียงไว้ในส่วนที่เรียกว่าFloating Gate Transistors แต่ละเซลล์จะเก็บหนึ่งบิตของสารสนเทศซึ่งเป็นยุคแรกของการทำงาน ต่อมาหนึ่งเซลล์เก็บได้มากกว่าหนึ่งบิต แต่ละเซลล์คล้ายกับ MOSFET ยกเว้นมันมีสองประตูแทนที่จะมีประตูเดียว ประตูที่หนึ่งคือประตูคอนโทรล(CG) เหมือนใน MOSFET อีกประตูหนี่งเป็นประตูลอย(FG)โดยมีฉนวนหุ้มอยู่โดยรอบ FG จะอยู่ระหว่าง CG กับฉนวนเพราะ FG เป็นฉนวนโดยชั้นของ Oxide ของมันเอง โดยอีเล็คตรอนที่เคลื่อนย้ายมาแทนมันและปิดช่องบนใช้สำหรับเก็บสารสนเทศ เมื่ออีเล็คตรอนเกิดขึ้นที่ FG มันจะเปลี่ยนไปเป็นสนามไฟฟ้ารอบๆขอบประตู CG ซึ่งการเปลี่ยนแปลงนี้แรงดันไฟฟ้าที่เรียกว่า threshold voltage (Vt ) ขึ้นที่ขอบของแต่ละเซลล์ เมื่อเซลล์ที่ใช้อ่านโดยการแทนที่แรงดันไฟฟ้าเฉพาะที่บน CG กระแสไฟฟ้าจะไหลและหยุดไหลสลับกันไปตลอดเวลา กระแสที่เกิดขึ้นถูกควบคุมโดยจำนวนอีเล็คตรอน บน FG เมื่อมีกระแสไฟฟ้าไหลและหยุดไหล จะเกิดเป็นสัญญาณดิจิตอล เมื่อกระแสไฟฟ้าไหลจะเป็น 1 และเมื่อกระแสไฟฟ้าหยุดไหล จะเป็น 0 ซึ่งการเกิดวงรอบนี้จะดำเนินไปตลอดเวลา และจะทำให้เกิดการเก็บสารสนเทศขึ้น จำนวนเซลล์มากมายที่ใช้เก็บสารสนเทศได้มากกว่าหนึ่งบิต ของสารสนเทศต่อเซลล์ โดยปกติจะมีการตรวจสอบการเกิดกระแสไฟฟ้าที่ไหลและหยุดเพื่อกำหนดจำนวนอีเล็คตรอนที่เก็บไว้บน FG



-----------------------------------------------------------------------------------------------
Flash Memory ; Digital Memories Service Extremes ( http:// news.bbc.co.uk/2/hi/technology/3939333.stm)

---

บทความอื่น

บทความแนะนำ

Blog แนะนำ

Hot Links

คลังข้อสอบ | ข่าววิชาการ
เล่นกล/เกม | อ่านนิยาย
ข่าวทุนการศึกษา | ลิงค์

ขอบคุณผู้สนับสนุน