ทรานซิสเตอร์จาก Graphene สามารถลดขนาดจากแถบเป็น Dot ได้แล้ว

นักวิจัยที่ Manchester University ในสหราชอาณาจักรสามารถสร้างทรานซิสเตอร์จาก Graphene quantum dot โดย Graphene อาจจะเป็นวัสดุที่อาจจะมาแทนที่ซิลิกอนในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกได้

Graphene เป็นแผ่นคาร์บอน 2 มิติที่มีความหนาเพียง 1 อะตอมและโดยปกติจะถูกสร้างมาจากการตัดผลึกของการ์ไฟต์ ในระดับโมเลกุลมันจะดูเหมือนแผ่นที่มี Benzene ring ต่อกัน

เนื่องจากสมบัติทางกายภาพของ Graphene ทำให้มันถูกพยายามนำไปใช้แทนซิลิกอน อิเล็กตรอนในสสารนี้จะประพฤติตัวคล้ายอนุภาคสัมพันธภาพที่ไม่มีมาลนิ่งและสามารถเคลื่อนที่ด้วยอัตราเร็วประมาน 1000000 เมตรต่อวินาที Kostya Novoselov หนึ่งในทีมวิจัยกล่าวว่า "สมบัตินี้ยังคงอยู่แม้เราจะทำให้อุปกรณ์เหลือเพียง Benzene ring ไม่กี่วง นี้เป็นสิ่งที่จำเป็นในการสร้างอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกระดับโมเลกุล"

ปัจจุบันนักวิจัยสามารถสร้างทรานซิสเตอร์จากแถบของ Graphene ได้เท่านั้น แต่รูปทรงที่ยาวไม่ทำให้ความนำไฟฟ้าได้สูงสุด Novoselov และผู้ร่วมงานได้ตัดแถบเพื่อให้ขนาดของมันสามารถควบอิเล็กตรอนในเชิงควอนตัมได้ (Quantum confine electron) พวกเขาได้ใช้วิธีการตัดโดยใช้ลำอิเล็กตรอนและกระตุ้นพลาสมาในการทำแผ่น Grahene ขนาดเล็กจากแผ่นใหญ่ Novoselov กล่าวว่า "เราสามารถแสดงให้เห็นว่าสามารถสร้างทรานซิสเตอร์โดยใช้ Graphene quantum dot และมันยังสามารถทำงานได้ที่อุณหภูมิห้องอีกด้วย"

Andre Geim หนึ่งในทีมวิจัยกล่าวว่าพวกเขาสามารถสร้างทรานซิสเตอร์ที่มีขนาดเล็กเพียง 10 นาโนเมตรซึ่งอาจจะเล็กลงถึง 1 นาโนเมตรได้ในอนาคต

Jie Chen จาก university of Alberta ใน Canada หนึ่งในผู้วิจัยในการสร้างอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกจาก Graphene ประทับใจกับการที่ Novoselov, Geim และผู้ร่วมงานสามารถพัฒนา Graphene ได้อย่างรวดเร็ว เขากล่าวว่า "พวกเขากำลังเป็นผู้นำในสาขานี้" http://physicsworld.com/cws/article/news/33832